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IXSP20N60B2D1

High Speed IGBT

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXSP20N60B2D1

包装:管件 封装/外壳:TO-220-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 35A 190W TO220

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXSA20N60B2D1

HighSpeedIGBT

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXSH20N60B2D1

HighSpeedIGBTShortCircuitSOACapability

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

  • 产品编号:

    IXSP20N60B2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,16A

  • 开关能量:

    380µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    30ns/116ns

  • 测试条件:

    480V,16A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 35A 190W TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXSP20N60B2D1供应商 更新时间2024-5-1 9:12:00