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IXSH20N60B2D1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
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厂商型号 |
IXSH20N60B2D1 |
参数属性 | IXSH20N60B2D1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 35A 190W TO247 |
功能描述 | High Speed IGBT Short Circuit SOA Capability |
封装外壳 | TO-247-3 |
文件大小 |
598.44 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | IXYS Corporation |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Corporation官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 10:43:00 |
人工找货 | IXSH20N60B2D1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IXSH20N60B2D1规格书详情
IXSH20N60B2D1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXSH20N60B2D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
IXSH20N60B2D1
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,16A
- 开关能量:
380µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
30ns/116ns
- 测试条件:
480V,16A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 600V 35A 190W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
SOT-23 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
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IXYS |
23+ |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS/艾赛斯 |
17+ |
TO-247 |
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IXYS |
24+ |
TO-247 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |