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IXSH20N60B2D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Short Circuit Rated PT IGBTs ·VCES :600V and 1200V\n·SCSOA capability\n·10 us short circuit withstand capability\n·B and B2 Class IGBTs with lower VCE (sat) optimized for Low to Medium Speed Applications;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXSH20N60B2D1	文件：598.44 Kbytes Page：6 Pages	High Speed IGBT Short Circuit SOA Capability 文件：598.44 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXSH20N60B2D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 35A 190W TO247	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXSP20N60B2D1	文件：181.31 Kbytes Page：6 Pages	High Speed IGBT 文件：181.31 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXSH20N60B2D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，16A
开关能量：
380µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/116ns
测试条件：
480V，16A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 35A 190W TO247

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