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IXTA08N100D2	文件：183.11 Kbytes Page：5 Pages	Depletion Mode MOSFET DepletionModeMOSFET N-Channel Features •NormallyONMode •InternationalStandardPackages •MoldingEpoxiesMeetUL94V-0 FlammabilityClassification Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity Applications •AudioAmplifiers •Start-upCircuits •Protection	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTA08N100D2HV	文件：194.26 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Depletion Mode MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP08N100D2	文件：183.11 Kbytes Page：5 Pages	DepletionModeMOSFET DepletionModeMOSFET N-Channel Features •NormallyONMode •InternationalStandardPackages •MoldingEpoxiesMeetUL94V-0 FlammabilityClassification Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity Applications •AudioAmplifiers •Start-upCircuits •Protection	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTY08N100D2	文件：299.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=30Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IXTA08N100D2
功能描述：
MOSFET N-CH MOSFETS(D2) 1000V 800MA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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