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IXFR26N50Q	文件：79.56 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247(ElectricallyIsolatedBackSurface) (ElectricallyIsolatedBackSurface) N-ChannelEnhancementModeHighdV/dt,Lowtrr,HDMOS™Family Features SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFT26N50	文件：158 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFT26N50Q	文件：134.05 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features IXYSadvancedlowQgprocess Internationalstandardpackages LowRDS(on) UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Fastswitching MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFV26N50P	文件：211.72 Kbytes Page：5 Pages	AvalancheRatedFastInstrinsicDiode VDSS=500V ID25=26A RDS(on)≤230mΩ trr≤200ns AvalancheRatedFastInstrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackages ●Fastintrinsicdiode ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ●Easytomou	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTC26N50P	文件：571.66 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET ElectricallyIsolatedTab,N-ChannelEnhancementMode,AvalancheRated Features SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation Lowdraintotabcapacitance( Applications DC-DCconverters	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTC26N50P	文件：296.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTQ26N50P	文件：269.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTQ26N50P	文件：343.91 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ26N50P	文件：343.91 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTMPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTT26N50P	文件：343.91 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTV26N50P	文件：343.91 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTV26N50P	文件：293.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTV26N50PS	文件：343.91 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
SMOS26N50	文件：141.49 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFETs	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SMOS26N50	文件：143.53 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFETs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
STE26N50	文件：154.33 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORINISOTOPPACKAGE N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORINISOTOPPACKAGE ■HIGHCURRENTPOWERMODULE ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY(SEEIRFP450FORRATING) ■VERYLARGESOA-LARGEPEAKPOWERCAPABILITY ■EASYTOMOUNT ■SAMECURRENTCAPABILITYFORTHETWOSOURCETERMINALS ■EXTREMELYLOWRthJUN	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
IXFV26N50PS
功能描述：
MOSFET 500V 26A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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