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IRFPS35N50LPBF	文件：152.7 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFPS35N50LPBF	文件：152.06 Kbytes Page：8 Pages	IRFPS35N50L FEATURES •SuperFastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDriveRequirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity •Lead(Pb)-f	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPS35N50L	文件：154.09 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent LowTrrandSoftDiodeRecovery HighPerformanceOptimisedAnti-parallelDiode Application	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IXFK35N50	文件：39.96 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Fastintrinsicrectifi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK35N50	文件：328.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFN35N50	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFX35N50	文件：202.7 Kbytes Page：3 Pages	PowerMOSFETs	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
SIHFPS35N50L	文件：152.06 Kbytes Page：8 Pages	IRFPS35N50L FEATURES •SuperFastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDriveRequirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity •Lead(Pb)-f	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRFPS35N50LPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 34 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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