| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
|
IR/VISHAYSOT252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO-252 |
60 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
|
深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
|
IR/VISHAYSOT252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
VISHAY/威世TO252 |
7906200 |
|||||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
VISHAY(威世)TO-252 |
7845 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IRT0-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
上海磐岳电子有限公司6年
留言
|
FSCTO-252 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
|||
|
深圳市星佑电子有限公司16年
留言
|
IR原厂原装 |
4355 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
IR/VISH |
65230 |
21+ |
||||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
|
VishayDPAK(TO-2 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
IRTO-252 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
|||
|
天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
|
IRTO-252 |
2000 |
90+ |
全新原装 实单必成 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
VISHAY/威世TO-252 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
|
深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
|
vishayTO252powe |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
|
深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
|
IRTO-252 |
35890 |
23+ |
||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
TO-252 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
|
IRTO-252 |
4500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
|||
|
深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
|
SECTO-252 |
59630 |
23+24 |
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管 |
|||
|
深圳市华来深电子有限公司11年
留言
|
IRTO-252 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
IRFR010采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR010图片
IRFR010PBF价格
IRFR010PBF价格：￥3.8129品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFR010PBF多少钱，想知道IRFR010PBF价格是多少？参考价：￥3.8129。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR010PBF批发价格及采购报价，IRFR010PBF销售排行榜及行情走势，IRFR010PBF报价。
IRFR010中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR010功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010PBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010TR功能描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR010TRL功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010TRR功能描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR010TRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
