| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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IRTO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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IRTO-252 |
40 |
08+ |
原装进口无铅现货 |
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16年
留言
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IR |
65480 |
23+ |
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14年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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5年
留言
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IRD-Pak |
27500 |
25+ |
原装正品,价格最低! |
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8年
留言
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IRTO-252 |
1900 |
90+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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5年
留言
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IRSOT252 |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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7年
留言
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VISHAYTO-252 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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14年
留言
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IRTO-252 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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1年
留言
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IR/VISHAYTO-252/TO-220 |
9566 |
1926+/2035+ |
进口原装优势现货库存 |
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5年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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5年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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3年
留言
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IRTO-252 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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1年
留言
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IRTO-252 |
8480 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货，支持一站式配单 |
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4年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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10年
留言
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IR原厂封装 |
1836 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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16年
留言
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SAMSUNGTO-252 |
4835 |
2026+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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IRTO-252 |
2004000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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10年
留言
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IRSOP8 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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13年
留言
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IRTO-252 |
4500 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
IRFR010采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR010图片
IRFR010PBF价格
IRFR010PBF价格：￥3.8129品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFR010PBF多少钱，想知道IRFR010PBF价格是多少？参考价：￥3.8129。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR010PBF批发价格及采购报价，IRFR010PBF销售排行榜及行情走势，IRFR010PBF报价。
IRFR010中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR010功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010PBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010TR功能描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR010TRL功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010TRR功能描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR010TRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
