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IRFR010	文件：1.67749 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and d 文件：1.67749 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR010	文件：287.41 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：287.41 Kbytes 页数：5 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRFR010	文件：325.95 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low drive current • Surface-mount • Fast switching • Ease of paralleling • Excellent temperature stability • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION The power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced lin 文件：325.95 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR010	文件：4.60859 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and d 文件：4.60859 Mbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR010	文件：275.94 Kbytes Page：8 Pages	AVALANCHE AND dv/dt RATED 文件：275.94 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFR010	文件：320.94 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：320.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFR010	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Low drive current\nSurface-mount\nFast switching;	Vishay 威世	Vishay
IRFR010	文件：300 bytes Page：1 Pages	AVALANCHE AND dv/dt RATED	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFR010_V01	文件：325.95 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low drive current • Surface-mount • Fast switching • Ease of paralleling • Excellent temperature stability • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION The power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced lin 文件：325.95 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR010PBF	文件：1.67749 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and d 文件：1.67749 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
IRFR010
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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