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IRFPS40N60K	文件：140.34 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET-R Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFPS40N60K	文件：183.25 Kbytes Page：9 Pages	Enhanced Body Diode dV/dt Capability	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFPS40N60KPBF	文件：176.71 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFK40N60	文件：82.16 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK40N60	文件：328.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFN40N60	文件：82.16 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH40N60	文件：106.52 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS™process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ACmo	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH40N60A	文件：106.52 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS™process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ACmo	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH40N60B	文件：296.67 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT HiPerFAST™IGBT LightspeedSeries	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH40N60C	文件：129.539 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBTLightspeedSeries Features InternationalstandardpackagesJEDECTO-247andsurfacemountableTO-268 Highcurrenthandlingcapability LatestgenerationHDMOS™process MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications PFCcircuits Uninterruptiblepowersupplies(UPS) Switched-modeandr	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
IRFPS40N60K
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 40 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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