| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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IRTO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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IRTO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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IRTO-252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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14年
留言
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IRTO-252 |
16800 |
26+ |
原装现货 |
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3年
留言
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IRTO-252 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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12年
留言
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IRPBFREE |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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6年
留言
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IRTO-252 |
2131 |
08+ |
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13年
留言
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IRTO-252 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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16年
留言
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IR |
65480 |
23+ |
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18年
留言
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IRTO-252 |
15000 |
06+ |
原装库存 |
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5年
留言
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IRD-Pak |
27500 |
25+ |
原装正品,价格最低! |
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13年
留言
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IRTO-252 |
4500 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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16年
留言
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IRTO-252 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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16年
留言
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ONTO252 |
20500 |
20+ |
汽车电子原装主营-可开原型号增税票 |
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7年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
620 |
25+ |
全新原装正品支持含税 |
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12年
留言
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IRTO-252 |
15000 |
12+ |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
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14年
留言
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IRD-PAK |
12335 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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6年
留言
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IRTO-252 |
22225 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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13年
留言
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IRTO-252 |
29840 |
26+ |
主营MOS管 二极.三极管 肖特基二极管.功率三极管 |
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4年
留言
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IR/VISHAYTO-252-2 |
7000 |
23+ |
IRFR020采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR020图片
IRFR020TRPBF价格
IRFR020TRPBF价格：￥3.6385品牌：Vishay
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IRFR020资讯
IRFR020 腾利达电子有限公司
IRFR020 IR 5700 106TO-252 原装 庄先生/李小姐：0755-82539601 QQ：759922206/80174711
IRFR020中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR020功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR020_10制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFR020PBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR020TR功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR020TRL功能描述:MOSFET N-CH 60V 14A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR020TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR020TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR020TRR功能描述:MOSFET N-CH 60V 14A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR020TRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
