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IRFR024N	文件：942.95 Kbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance Description The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications. ● Ultr 文件：942.95 Kbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR024N	文件：466.35 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared,or wave soldering technigues. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications. Features VDS (V) = 55V ID = 17A (VGS = 10V) RDS(ON) =75mW (VGS = 10V) 文件：466.35 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRFR024N	文件：178.33 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A?? 文件：178.33 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFR024N	文件：335.19 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFR024NPBF	文件：401.32 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：401.32 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFR024NPBF	文件：4.03053 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：4.03053 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR024NTR	文件：537.48 Kbytes Page：7 Pages	The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared,or wave soldering technigues. Features VDS (V) = 55V ID = 17A (VGS = 10V) RDS(ON) =75mW (VGS = 10V) 文件：537.48 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRFR024NTR	文件：466.35 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared,or wave soldering technigues. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications. Features VDS (V) = 55V ID = 17A (VGS = 10V) RDS(ON) =75mW (VGS = 10V) 文件：466.35 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRFR024NPBF	文件：4.00212 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：4.00212 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR024NPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE 文件：406.05 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRFR024NTRLPBF/IRFR024NTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DPAK/DPAK
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
75 mΩ/75 mΩ
ID @25°C max：
17 A/17 A
QG typ @10V：
13.3 nC/13.3 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V/2 V
VGS(th) max：
4 V/4 V
VGS(th)：
3 V/3 V
Technology：
IR MOSFET™/IR MOSFET™

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