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IRFR024NPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：406.05 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR024NPBF_15	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE 文件：406.05 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR024NTRL	文件：4.00212 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：4.00212 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR024NTRLPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：406.05 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR024NTRPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：406.05 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR024NTRPBF	文件：1.04371 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.04371 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRFR024N	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D-Pak 封装的 55V 单 N 通道 IR MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

更多IRFR024N供应商更新时间2026-2-9 16:04:00