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IRFPS3815	文件：101.62 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.015ohm, Id=105A) Description The HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provid 文件：101.62 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFPS3815	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 Super 247（TO-274AA）封装的 150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFPS3815PBF	文件：131.99 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description The HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provid 文件：131.99 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFPS3815PBF	文件：137.37 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：137.37 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFPS3815PBF_15	文件：137.37 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：137.37 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

更多IRFPS3815供应商更新时间2025-10-10 9:38:00