| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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6年
留言
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IRSOT252 |
1900 |
23+ |
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7年
留言
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VISHAY-威世TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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10年
留言
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IRSOD-123 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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19年
留言
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IRTO252 |
603 |
03+ |
全新 发货1-2天 |
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13年
留言
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IRTO-252 |
22055 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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14年
留言
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IRTO-252 |
6200 |
17+ |
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5年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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3年
留言
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IRSOT252 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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6年
留言
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IRTO252 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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4年
留言
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IRTO252 |
7000 |
23+ |
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20年
留言
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IR |
643 |
24+/25+ |
原装正品现货库存价优 |
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16年
留言
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SAMSUNGTO-252 |
4835 |
2026+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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7年
留言
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VISHAYTO-252 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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5年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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4年
留言
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IRTO-252 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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6年
留言
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IRSOT252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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18年
留言
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IR原厂原装 |
6672 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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6年
留言
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IRSOT252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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5年
留言
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IRSOT252 |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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12年
留言
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VishayDPAK |
12300 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
IRFR010TR采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFR010TR图片
IRFR010TR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR010TR功能描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR010TRL功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR010TRR功能描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR010TRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube


























