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深圳市威尔健半导体有限公司

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IRSOT252

1900

23+

深圳市川科科技有限公司

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VISHAY-威世TO-252-3

78800

24+25+/26+27+

1
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1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

洪芯国际半导体(深圳)有限公司

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IRSOD-123

86720

26+

全新原装正品价格最实惠 假一赔百

上海金庆电子技术有限公司

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IRTO252

603

03+

全新 发货1-2天

深圳市东来宝电子科技有限公司

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IRTO-252

22055

24+

郑重承诺只做原装进口现货

深圳市恒创达实业有限公司

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IRTO-252

6200

17+

深圳市河锋鑫科技有限公司

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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC

9000

22+

原厂渠道,现货配单

深圳市创新迹电子有限公司

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IRSOT252

20000

22+

公司只做原装 品质保障

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRTO252

8000

23+

只做原装现货

天津市博通航睿技术有限公司

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IRTO252

7000

23+

深圳市联世界科技有限公司

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IR

643

24+/25+

原装正品现货库存价优

深圳市宏世佳电子科技有限公司

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16年 留言

SAMSUNGTO-252

4835

2026+

全新原厂原装产品、公司现货销售

深圳市科雨电子有限公司

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VISHAYTO-252

3000

25+

就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRTO-252

6000

22+

终端可免费供样,支持BOM配单

深圳市博中泰实业有限公司

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IRTO-252

90000

25+

全新原装现货

深圳市威尔健半导体有限公司

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IRSOT252

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23+

全新原装正品现货,支持订货

芯有半导体(深圳)有限公司

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IR原厂原装

6672

05+

只做全新原装真实现货供应

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRSOT252

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京海半导体(深圳)有限公司

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IRSOT252

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原装现货假一罚十

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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VishayDPAK

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26+

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IRFR010TR功能描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR010TRL功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR010TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR010TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR010TRR功能描述:MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR010TRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube