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IRFI510G	文件：267.31 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.co 文件：267.31 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI510G	文件：174.92 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET POWER MOSFET Through-Hole Packags TO-220 FullPak (Fully Isolated) 文件：174.92 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFI510G_V01	文件：267.31 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.co 文件：267.31 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI510A	文件：274.47 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：274.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFI510G	文件：1.07947 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：1.07947 Mbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI510G	文件：318.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：318.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFI510G	文件：1.03226 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：1.03226 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI510GPBF	文件：1.03226 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：1.03226 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI510GPBF	文件：1.07947 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：1.07947 Mbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI510G	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET POWER MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFI510
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 4.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFI510供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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