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IRFI510G_V01

Power MOSFET

FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •175°Coperatingtemperature •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIHFI510G_V01

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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更多IRFI510G_V01供应商 更新时间2024-9-24 11:09:00