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IRF7316TR	文件：392.68 Kbytes Page：7 Pages	丝印：IRF7316；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET Features ® Vbs(v)=-30V ® Roson) 文件：392.68 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7319	文件：430.91 Kbytes Page：10 Pages	丝印：IRF7319；Package：SOP-8；Dual N P Channel MOSFET Features N-Ch: e Vos(v)=30V ® Rosony) 文件：430.91 Kbytes 页数：10 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7319TR	文件：430.91 Kbytes Page：10 Pages	丝印：IRF7319；Package：SOP-8；Dual N P Channel MOSFET Features N-Ch: e Vos(v)=30V ® Rosony) 文件：430.91 Kbytes 页数：10 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7319TR	文件：402.24 Kbytes Page：10 Pages	丝印：IRF7319；Package：SOP-8；Dual N P Channel MOSFET Features N-Ch: Vos (v)=30V Rosoy(on) 文件：402.24 Kbytes 页数：10 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF731	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-Pin SOIC	NJS	NJS
IRF7311	文件：209.23 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：209.23 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7311PBF	文件：1.97488 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：1.97488 Mbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7311TR	文件：214.79 Kbytes Page：7 Pages	Generation V Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：214.79 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7313	文件：547.15 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET POWER MOSFET HEXFET Power MOSFET 文件：547.15 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7313	文件：361.14 Kbytes Page：7 Pages	Dual N Channel MOSFET Features VDs(V=30V RpsoN) 文件：361.14 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI

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技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
2000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
30V
Maximum Continuous Drain Current：
4.7A
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Drain
Channel Type：
P
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	IRF731	SMG	05+	原厂原装	53	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRF731	哈里斯	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRF731	哈里斯	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRF731	哈里斯	21+	TO-220	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF731	IR/FSC	22+	D2-PAK	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IRF731	IR/FSC	23+	D2-PAK	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市能元时代电子有限公司	IRF731	IR	23+		66504	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
上海凌岳电子科技有限公司（上海涵恩科技）	IRF731	IR	2023+		3000	进口原装现货	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	IRF731	SEC	25+	TO-220	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	IRF731	哈里斯	24+	NA/	114	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

更多IRF731供应商更新时间2025-10-4 10:31:00

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