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IRF7319	文件：430.91 Kbytes Page：10 Pages	丝印：IRF7319；Package：SOP-8；Dual N P Channel MOSFET Features N-Ch: e Vos(v)=30V ® Rosony) 文件：430.91 Kbytes 页数：10 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7319	文件：402.24 Kbytes Page：10 Pages	Dual N P Channel MOSFET Features N-Ch: Vos (v)=30V Rosoy(on) 文件：402.24 Kbytes 页数：10 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF7319	文件：137.16 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：137.16 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7319TR	文件：402.24 Kbytes Page：10 Pages	丝印：IRF7319；Package：SOP-8；Dual N P Channel MOSFET Features N-Ch: Vos (v)=30V Rosoy(on) 文件：402.24 Kbytes 页数：10 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
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IRF7319	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 30V 双 N 通道和 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 双 N 通道和 P 通道 MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7319PBF	文件：224.22 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：224.22 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7319TRPBF	文件：229.8 Kbytes Page：10 Pages	GenarafionV Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：229.8 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7319PBF	文件：229.8 Kbytes Page：10 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY 文件：229.8 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7319PBF_15	文件：229.8 Kbytes Page：10 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY 文件：229.8 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF7319TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
29 mΩ/58 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
46 mΩ/98 mΩ
ID @25°C max：
6.5 A/-4.9 A
QG typ @10V：
22 nC/23 nC
Polarity：
N+P
VGS(th) min：
-1 V/1 V
Technology：
IR MOSFET™

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