IRF7319中文资料采用 SO-8 封装的 30V 双 N 通道和 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
IRF7319规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 双 N 通道和 P 通道 MOSFET
技术参数
- 制造商编号
：IRF7319
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IRF7319TRPBF
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：SO8
- VDS max
：30 V
- RDS (on) @10V max
：29 mΩ/58 mΩ
- RDS (on) @4.5V max
：46 mΩ/98 mΩ
- ID @25°C max
：6.5 A/-4.9 A
- QG typ @10V
：22 nC/23 nC
- Polarity
：N+P
- VGS(th) min
：-1 V/1 V
- Technology
：IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2511 |
SO-8 |
360000 |
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IR |
24+ |
SOT23-6 |
9600 |
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IR |
24+ |
SOP8 |
80000 |
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Infineon |
23+ |
SO8 |
15500 |
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IR |
25+ |
SOP8 |
1997 |
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IR |
23+ |
SOIC8 |
2087 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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VBsemi(台湾微碧) |
2447 |
SO-8 |
105000 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
IR |
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SOP8 |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
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IR |
23+ |
14+ |
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