| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
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IRSOP8 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装,公司现货供应IRF7313TRPBF,正品现货供应,欢迎咨询洽谈。 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
留言
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IRSMD |
4700 |
97 |
只售原装正品 |
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11年
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IRSOP-8 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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6年
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INFINEON/英飞凌原厂封装 |
10280 |
26+ |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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12年
留言
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INFINEONSOP-8 |
22000 |
26+ |
有挂有货原装正品现货,假一赔十 |
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7年
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INFINEON/英飞凌SOP |
10000 |
25+ |
全新原装正品支持含税 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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11年
留言
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INFINEON/英飞凌SO-8 |
8750 |
26+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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12年
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
1608 |
1750+ |
只售原装正品 |
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8年
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IRSOP8 |
86520 |
24+ |
一级代理/全新现货/长期供应! |
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4年
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IRSOP8 |
8540 |
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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7年
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IR23+ |
6000 |
26+ |
专业配单原装正品假一罚十 |
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13年
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INFINEONSOP8 |
6000 |
25+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP |
556 |
24+ |
原装优势现货 |
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13年
留言
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IRSO-8 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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INFINEONSOP-8 |
8000 |
25+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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6年
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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8年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOIC-8_150mil |
10548 |
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原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
IRF7313采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRF7313TRPBF价格
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IRF7313TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7313功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7313HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7313PBF功能描述:MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7313QPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7313QTRPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7313TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7313TRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Dual N-Channel 30 V 2 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
