| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Advanced Process Technology 文件：223.02 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Generation V Technology 文件：201.49 Kbytes 页数：7 Pages | IRF | IRF | ||
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.10117 Mbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
Generation V Technology 文件：231.25 Kbytes 页数：7 Pages | IRF | IRF | ||
GENERATION V TECHNOLOGY 文件：209.43 Kbytes 页数：7 Pages | IRF | IRF | ||
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HEXFET짰Power MOSFET 文件：203.91 Kbytes 页数：7 Pages | IRF | IRF | ||
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Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：208.91 Kbytes 页数：7 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：208.91 Kbytes 页数：7 Pages | IRF | IRF |
技术参数
- Minimum Operating Temperature：
-55°C
- Maximum Power Dissipation：
2000mW
- Maximum Operating Temperature：
150°C
- Maximum Gate Source Voltage：
±20V
- Maximum Drain Source Voltage：
30V
- Maximum Continuous Drain Current：
4.7A
- Material：
Si
- Configuration：
Single Dual Drain
- Channel Type：
P
- Channel Mode：
Enhancement
- Category：
Power MOSFET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SMG |
05+ |
原厂原装 |
53 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
哈里斯 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
哈里斯 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
哈里斯 |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR/FSC |
22+ |
D2-PAK |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
IR/FSC |
23+ |
D2-PAK |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
66504 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | |||
IR |
2023+ |
3000 |
进口原装现货 |
询价 | |||
SEC |
25+ |
TO-220 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
哈里斯 |
24+ |
NA/ |
114 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 |
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更新时间2025-10-4 10:31:00
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