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IRF7319TRPBF

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.44745 Mbytes 页数:14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRF7313

采用 SO-8 封装的 30V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 双 N 通道 MOSFET;

Infineon

英飞凌

IRF7313PBF-1

30V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Minimum Operating Temperature:

    -55°C

  • Maximum Power Dissipation:

    2000mW

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Gate Source Voltage:

    ±20V

  • Maximum Drain Source Voltage:

    30V

  • Maximum Continuous Drain Current:

    4.7A

  • Material:

    Si

  • Configuration:

    Single Dual Drain

  • Channel Type:

    P

  • Channel Mode:

    Enhancement

  • Category:

    Power MOSFET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRF731供应商 更新时间2025-10-4 10:31:00