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IRF731	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 350 V/400 V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF731	文件：177.13 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF731	文件：64.989 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF731	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF731	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-Pin SOIC;	NJS New Jersey Semiconductor	NJS
IRF7311	文件：209.23 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF7311	文件：2.087889 Mbytes Page：6 Pages	丝印：IRF7311；Package：SOP-8；30V 2N-Channel Enhancement Mode MOSFET GeneralDescription Theisthehighestperformancetrench 2N-chMOSFETswithextremehighcelldensity, whichprovideexcellentRDSONandgatecharge formostofthesmallpowerswitchingand loadswitchapplications.ThemeettheRoHSand Productrequirementwithfullfunctionreliabilitya	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7311	文件：2.21333 Mbytes Page：6 Pages	丝印：IRF7311；Package：SOP-8；30V 2N-Channel Enhancement Mode MOSFET GeneralDescription 2N-chMOSFETswithextremehighcelldensity, whichprovideexcellentRDSONandgatecharge formostofthesmallpowerswitchingand loadswitchapplications.ThemeettheRoHSand Theisthehighestperformancetrench Productrequirementwithfullfunctionreliabilitya	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7311PBF	文件：1.97488 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF7311TR	文件：214.79 Kbytes Page：7 Pages	Generation V Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
2000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
30V
Maximum Continuous Drain Current：
4.7A
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Drain
Channel Type：
P
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF731供应商更新时间2025-7-30 16:26:00

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