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IRF7313规格书详情
特性 Features
VDs(V=30V
RpsoN) < 29mΩ (Ves = 10V)
Rpson) < 46mΩ (Ves = 4.5V)
Generation V Technology
Ultra Low On-Resistance
Surface Mount
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRF7313
- 功能描述：
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
HEXFET®
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
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