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MI-QC624-MWY	文件：150.47 Kbytes Page：4 Pages	MilitaryDC-DCPowerSupplies	VicorVicor Corporation 威科电源	Vicor
MI-QC624-MXY	文件：150.47 Kbytes Page：4 Pages	MilitaryDC-DCPowerSupplies	VicorVicor Corporation 威科电源	Vicor
MI-QC624-MYY	文件：150.47 Kbytes Page：4 Pages	MilitaryDC-DCPowerSupplies	VicorVicor Corporation 威科电源	Vicor
MMBTSB624	文件：166.48 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor Foruseinsmalltypeequipments,especially recommendedorhybridcircuitandotherapplications ThetransistorissubdividedintofivegroupsA,B,C,D andE,accordingtoitsDCcurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MSD624	文件：153.58 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTJLEADEDHCMOSCLOCKOSCILLATOR DESCRIPTION TheConnor-WinfieldMSD624isahermeticallysealedsurfacemount5.0VCrystalControlledOscillator(XO)HCMOS/TTLCompatible.TheMSD624isdesignedforapplicationsrequiringlowjitterandtightstability. FEATURES 5.0VOPERATION LOWJITTER	Connor-Winfield Connor-Winfield	Connor-Winfield
MUR624CT	文件：60.36 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG

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详细参数

型号：
IRF624STRL
功能描述：
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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