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MTN4N60FP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

MTP4N60

N-ChannelMosfetTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

MTP4N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

NDT4N60

N-ChannelMOSFET

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

NJ4N60

4.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES *VDS=600V *ID=4.0A *RDS(ON)=2.Ω@VGS=10V. *UltraLowgatecharge(typical15nC) *Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical8.0pF) *Fastswitchingcapability *Avalancheenergyspecified *Improveddv/dtcapability,highruggedness

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ4N60

4.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ4N60A-LI

4.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ4N60A-LI

4.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES *VDS=600V *ID=4.0A *RDS(ON)=2.Ω@VGS=10V. *UltraLowgatecharge(typical15nC) *Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical8.0pF) *Fastswitchingcapability *Avalancheenergyspecified *Improveddv/dtcapability,highruggedness

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ4N60-BL

4.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES *VDS=600V *ID=4.0A *RDS(ON)=2.Ω@VGS=10V. *UltraLowgatecharge(typical15nC) *Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical8.0pF) *Fastswitchingcapability *Avalancheenergyspecified *Improveddv/dtcapability,highruggedness

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ4N60-BL

4.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ4N60D-LI

4.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ4N60D-LI

4.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES *VDS=600V *ID=4.0A *RDS(ON)=2.Ω@VGS=10V. *UltraLowgatecharge(typical15nC) *Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical8.0pF) *Fastswitchingcapability *Avalancheenergyspecified *Improveddv/dtcapability,highruggedness

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ4N60D-TR

4.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES *VDS=600V *ID=4.0A *RDS(ON)=2.Ω@VGS=10V. *UltraLowgatecharge(typical15nC) *Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical8.0pF) *Fastswitchingcapability *Avalancheenergyspecified *Improveddv/dtcapability,highruggedness

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NJ4N60D-TR

4.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ4N60F-LI

4.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ4N60F-LI

4.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES *VDS=600V *ID=4.0A *RDS(ON)=2.Ω@VGS=10V. *UltraLowgatecharge(typical15nC) *Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical8.0pF) *Fastswitchingcapability *Avalancheenergyspecified *Improveddv/dtcapability,highruggedness

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NJ4N60-LI

4.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES *VDS=600V *ID=4.0A *RDS(ON)=2.Ω@VGS=10V. *UltraLowgatecharge(typical15nC) *Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical8.0pF) *Fastswitchingcapability *Avalancheenergyspecified *Improveddv/dtcapability,highruggedness

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NJ4N60-LI

4.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

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P4N60FI

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

PHB4N60E

PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

详细参数

  • 型号:

    IRF4N60

  • 制造商:

    SUNTAC

  • 制造商全称:

    SUNTAC

  • 功能描述:

    POWER MOSFET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
松下
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TO-220F
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