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IRF510S	文件：178.41 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.54ohm,Id=5.6A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF510S	文件：176.75 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF510S	文件：217.2 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatas	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF510SPBF	文件：331.86 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF510SPBF	文件：217.2 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF510STRLPBFA	文件：217.2 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF510STRRPBFA	文件：217.2 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI510A	文件：274.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFI510G	文件：174.92 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI510G	文件：1.03226 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRF510R
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220AB

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更多IRF510R供应商更新时间2025-5-18 9:16:00

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