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IRF3205ZSTRL

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Vishay

威世科技

IRF3205ZSTRLPBF

Advanced Process Technology

文件:385.59 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRFI3205

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=64A)

Through-Hole Packags TO-220 FullPak (Fully Isolated)

文件:107.55 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFI3205

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:260.74 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFI3205PBF

HEXFET짰 Power MOSFET

VDSS = 55V RDS(on) = 0.008Ω ID = 64A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design tha

文件:276.1 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

详细参数

  • 型号:

    IRF3205ZSTRL

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRF3205ZSTRL供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00