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IRF3205ZSTRL

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRF3205ZSTRLPBF

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRFI3205

PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.008ohm,Id=64A)

Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)

IRF

International Rectifier

IRFI3205

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IRFI3205PBF

HEXFET짰PowerMOSFET

VDSS=55V RDS(on)=0.008Ω ID=64A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesigntha

IRF

International Rectifier

IRFI3205PBF

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRFI3205PBF

AdvancedProcessTechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IRFM3205

N?밅HANNELPOWERMOSFET

SEME-LAB

Seme LAB

IRFP3205

N-ChannelMOSFETinaTO-3PPlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

IT3205BE

MT6516DesignNoticeV1.0

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

详细参数

  • 型号:

    IRF3205ZSTRL

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY
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TO-263
3000
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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更多IRF3205ZSTRL供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00