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IRF1010ELPBF

Advanced Process Technology

文件:227.87 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF1010EPBF

Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance

文件:3.12153 Mbytes 页数:8 Pages

KERSEMI

IRF1010ES

丝印:D2PAK;Package:TO-263;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:263.33 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRF1010ESPBF

Advanced Process Technology

文件:227.87 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF1010ESPBF_15

Advanced Process Technology

文件:227.87 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF1010EZ

N-Channel MOSFET Transistor

文件:338.8 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRF1010EZPBF

Advanced Process Technology

文件:413.46 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRF1010EZPBF_15

Advanced Process Technology

文件:413.46 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRF1010EZS

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:299.58 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRF1010E

采用 TO-220 封装的 60V 单 N 沟道功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n ;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRF1010EPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    TO220

  • VDS max:

    60 V

  • RDS (on) @10V max:

    12 mΩ

  • ID @25°C max:

    84 A

  • QG typ @10V:

    86.6 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    2 V

  • VGS(th) max:

    4 V

  • VGS(th):

    3 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
进口原装
3000
库存现货
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IR
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TO-220
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TO-220AB
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TO-220
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TO-220
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原装分销
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更多IRF1010E供应商 更新时间2025-10-9 9:50:00