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IRF1010ES

采用 D2-Pak 封装的 60V 单 N 通道功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌

IRF1010EZ

60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

\n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Industry standard through-hole power package\n• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size ;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRF1010EPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    TO220

  • VDS max:

    60 V

  • RDS (on) @10V max:

    12 mΩ

  • ID @25°C max:

    84 A

  • QG typ @10V:

    86.6 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    2 V

  • VGS(th) max:

    4 V

  • VGS(th):

    3 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRF1010E供应商 更新时间2025-10-9 9:50:00