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IIPD600N25N3	文件：336.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highfrequencyswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤60mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB600N25N3	文件：737.83 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS3Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB600N25N3G	文件：426.96 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Id	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPB600N25N3G	文件：694.82 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Id	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB600N25N3G	文件：189.46 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB600N25N3-G	文件：737.83 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS3Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD600N25N3	文件：336.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highfrequencyswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤60mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD600N25N3G	文件：313.22 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTM3Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Id	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD600N25N3G	文件：492.43 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTM3Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPI600N25N3	文件：315.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI600N25N3G	文件：694.82 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Id	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPI600N25N3G	文件：737.83 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS3Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPI600N25N3G	文件：426.96 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Id	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPP600N25N3G	文件：426.96 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Id	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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