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IPB60R190C6	文件：2.20584 Mbytes Page：19 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSC6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB60R190C6	文件：1.27182 Mbytes Page：19 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB60R190C6	文件：1.22055 Mbytes Page：19 Pages	600VCoolMOSC6PowerTransistor Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSC6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB60R190C6	文件：318.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-263(D2PAK)packaging •Ultra-fastbodydiode •Highspeedswitching •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperationz •APPLICATIONS •PFCstages,hardswit	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI60R190C6	文件：1.22055 Mbytes Page：19 Pages	600VCoolMOSC6PowerTransistor Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSC6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI60R190C6	文件：303.08 Kbytes Page：3 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-262(I2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI60R190C6	文件：2.20584 Mbytes Page：19 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSC6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI60R190C6	文件：1.27182 Mbytes Page：19 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP60R190C6	文件：338.29 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.19Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustde	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IPP60R190C6	文件：1.22055 Mbytes Page：19 Pages	600VCoolMOSC6PowerTransistor Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSC6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPW60R190C6	文件：335.46 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW60R190C6	文件：2.20584 Mbytes Page：19 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSC6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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