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IRF241	文件：48.31 Kbytes Page：2 Pages	StaticDrain-SourceOn-Resistance DESCRIPTION •DrainCurrentID=18A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage:VDSS=150V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.18Ω(Max) APPLICATIONS •Switchingpowersupplies •Switchingconverters,motordriver,relaydriver •Audioamplifierandservomotors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF241	文件：211.06 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •LowRDs	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRF241	文件：140.72 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,18A,150-200V N-ChannelPowerMOSFETs,18A,150-200V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF241R	文件：168.9 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheEnergyRatedN-ChannelPowerMOSFETs AvalancheEnergyRatedN-ChannelPowerMOSFETs TheIRF240R,IRF241R,IRF242RandIRF243RareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Thesearen-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP241R	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS241	文件：265.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCSH241W	文件：388.46 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K241	文件：198.26 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType FMTuner,VHFandRFAmplifierApplications Lowreversetransfercapacitance:Crss=0.035pF(typ.) Lownoisefigure:NF=1.7dB(typ.) Highpowergain:GPS=28dB(typ.) Recommendoperationvoltage:5~15V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
KAP-241	文件：40.05 Kbytes Page：2 Pages	BI-DIRECTIONALCOUPLERS BI-DIRECTIONALCOUPLERS	SYNERGY Synergy Microwave Corporation	SYNERGY
KDV241E	文件：38.41 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE ANTENNATUNNINGAPPLICATION FEATURES •LowTuningVoltage:VT=3V. •HighCapacitanceRatio:C0.5V/C3V=3.5(Min.) •ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KM241	文件：2.73438 Mbytes Page：39 Pages	HawkDiscreteWireTerminationMachineOperationManual	MOLEX11Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX11
KMR241G	文件：71.31 Kbytes Page：3 Pages	MicrominiatureTactSwitchforSMT	ITTITT Industries ITT工业	ITT
KMR241GLFS	文件：167.98 Kbytes Page：2 Pages	MicrominiatureTactSwitchforSMT	ITTITT Industries ITT工业	ITT
KMR241LFS	文件：161.41 Kbytes Page：2 Pages	KMR2SeriesMicrominiatureSMTTopActuated	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
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KRC241M	文件：727.08 Kbytes Page：5 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES WithBuilt-inBiasResistors. SimplifyCircuitDesign. ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. HighOutputCurrent:800mA.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRC241S	文件：748.2 Kbytes Page：5 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES WithBuilt-inBiasResistors. SimplifyCircuitDesign. ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. HighOutputCurrent:800mA.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSC241GLFS	文件：273.68 Kbytes Page：6 Pages	SealedTactSwitchforSMT	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS

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