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PESDSOT05C	文件：254.63 Kbytes Page：4 Pages	Marking：G05；Package：SOT-23；Plastic-Encap sulate Diodes DESCRIPTION LowcapacitancebidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protection diodeinasmallSOT-23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesigned toprotecttwodatalinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. FEATURES Bi-directionalESDprotectionoft	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MIC2006-0.5YML-TR	文件：3.94238 Mbytes Page：38 Pages	Marking：G05；Package：DFN；Fixed and Adjustable Current Limiting Power Distribution Switches	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
G050N03S	文件：1.079 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G050N03；Package：SOP-8；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG050N03Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G050P03D5	文件：907.91 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G050P03；Package：DFN5/6-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG050P03D5usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G050P03K	文件：579.64 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G050P03；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG050P03Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G050P03S	文件：1.00091 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G050P03；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG050P03Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G050P03T	文件：867.14 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G050P03；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG050P03Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G05NP04S	文件：1.28036 Mbytes Page：10 Pages	Marking：G05NP04；Package：SOP-8Dual；N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ThisProductusesadvancedtrenchtechnology MOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgate charge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedto formalevelshiftedhighsideswitch,andforahostof otherapplications. Application ⚫Powerswitch ⚫DC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G05NP06S2	文件：1.35291 Mbytes Page：10 Pages	Marking：G05NP06；Package：SOP-8Dual；N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ThisProductusesadvancedtrenchtechnology MOSFETstoprovideexcellentR DS(ON)andlowgate charge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedto formalevelshiftedhighsideswitch,andforahostof otherapplications. Application  Powerswitch DC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G05NP10S	文件：1.16741 Mbytes Page：10 Pages	Marking：G05NP10；Package：SOP-8Dual；N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ThisProductusesadvancedtrenchtechnology MOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgate charge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedto formalevelshiftedhighsideswitch,andforahostof otherapplications. Application ⚫Powerswitch ⚫DC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

产品属性

产品编号：
G05
制造商：
XP Power
类别：
电源 - 板安装 > 直流转换器
系列：
XP EMCO - G (1.5W)
包装：
管件
类型：
高电压 - 隔离模块
电压 - 输入（最小值）：
0.7V
电压 - 输入（最大值）：
12V
电压 - 输出 1：
500V
电流 - 输出（最大值）：
3mA
应用：
ITE（商业）
特性：
比例输出
工作温度：
-10°C ~ 60°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
4-DIP 模块
大小 / 尺寸：
1.50" 长 x 1.50" 宽 x 0.63" 高（38.1mm x 38.1mm x 1
描述：
DC DC CONVERTER 500V 1.5W

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