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G050P03D5	文件：907.91 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G050P03；Package：DFN5/6-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G050P03D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：907.91 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G050P03D5	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS(min)：
-30V
Id at 25℃(max)：
-85A
PD(max)：
100W
Vgs(th)typ(V)：
-1.4V
RDS(on)(typ)(@10V)：
3mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
4mΩ
Qg(nC)：
111
Ciss：
7670
Crss：
968

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多G050P03D5供应商更新时间2025-10-9 11:06:00

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