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G05NP06S2	文件：1.35291 Mbytes Page：10 Pages	丝印：G05NP06；Package：SOP-8Dual；N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description This Product uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. Application  Power switch DC/DC converters 文件：1.35291 Mbytes 页数：10 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G05NP06S2	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
N+P channel
ESD：
NO
VDS(min)：
60V/-60V
Id at 25℃(max)：
5A/-3.1A
PD(max)：
2.5W/1.9W
Vgs(th)typ(V)：
1.5V/-1.7V
RDS(on)(typ)(@10V)：
28mΩ/62mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
31mΩ/72mΩ
Qg(nC)：
22/37
Ciss：
1336/1454
Crss：
52/58

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	G05NP06S2		24+	N/A	75000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	G05NP10S	GOFORD	23+	SOP-8	3082	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
深圳市博中泰实业有限公司	G05NP10S	GOFORD/谷峰	24+	SOP-8	60000		询价
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深圳市易讯博科技有限公司	G05-Q01	Bel	22+	NA	80	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
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更多G05NP06S2供应商更新时间2025-10-7 11:06:00

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