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G050P03T	文件：867.14 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G050P03；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G050P03T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：867.14 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G050P03T	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
RRH050P03	文件：179.72 Kbytes Page：6 Pages	RRH050P03 文件：179.72 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RRH050P03	文件：1.50799 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.50799 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
RRH050P03TB	文件：959.32 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.32 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS(min)：
-30V
Id at 25℃(max)：
-85A
PD(max)：
100W
Vgs(th)typ(V)：
-1.2V
RDS(on)(typ)(@10V)：
4mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
5mΩ
Qg(nC)：
111
Ciss：
6922
Crss：
923

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