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HYG067N07NQ1B

Marking:G067N07;Package:TO-263-2L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG067N07NQ1P

Marking:G067N07;Package:TO-220FB-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG067N07NQ1PS

Marking:G067N07;Package:TO-3PS-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG072N08NR1P

Marking:G072N08N;Package:TO-220FB-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG072N10LS1P

Marking:G072N10;Package:TO-220FB-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG080N03LA1S

Marking:G080N03;Package:SOP8L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG080ND03LA1S

Marking:G080ND03L;Package:SOP8L;Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG082N03LR1S

Marking:G082N03;Package:SOP8L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

IGD06N65T6

Marking:G06ET6;Package:PG-TO252-3;IGBT in trench and field-stop technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

MIC2006-0.5YML-TR

Marking:G05;Package:DFN;Fixed and Adjustable Current Limiting Power Distribution Switches

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

晶体管资料

  • 型号:

    G02

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

  • 性质:

    射频/高频放大 (HF)_静噪放大 (LN)_宽频带放大

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    0.15A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-11

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.15

  • wtest:

    0.4

详细参数

  • 型号:

    G0

  • 制造商:

    Motorola Inc

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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NXP/恩智浦
23+
SOD-523
50000
全新原装正品现货,支持订货
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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NA
5000
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SOT-23
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更多G0供应商 更新时间2025-5-24 10:00:00