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HYG045P03LQ1V

Marking:G045P03;Package:TO-251-3S;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG046N04LQ1C2

Marking:G046N04;Package:PPAK5-8L;Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG046N04LQ1D

Marking:G046N04;Package:TO-252-2L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG046N04LQ1U

Marking:G046N04;Package:TO-251-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG046N04LQ1V

Marking:G046N04;Package:TO-251-3S;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG055N02KA1D

Marking:G055N02;Package:TO-252-2L;Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG065P03LQ1C2

Marking:G065P03;Package:PPAK5-8L;Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG065P03LQ1D

Marking:G065P03;Package:TO-252-2L;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG065P03LQ1U

Marking:G065P03;Package:TO-251-3L;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG065P03LQ1V

Marking:G065P03;Package:TO-251-3S;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

晶体管资料

  • 型号:

    G02

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

  • 性质:

    射频/高频放大 (HF)_静噪放大 (LN)_宽频带放大

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    0.15A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-11

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.15

  • wtest:

    0.4

详细参数

  • 型号:

    G0

  • 制造商:

    Motorola Inc

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT-23
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更多G0供应商 更新时间2025-5-24 10:00:00