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Marking：G02；Package：SOT23-5；High-Side Power Switches with Flag Features »WideSupplyVoltageRange:2.5to5.5V «ComplianttoUSBSpecifications »Current-LimitandShort-CircuitProtections. «EnableActiveLow/High »TypicalRdson70mQ(SOT-23-5) »ThermalShutdownProtection «CurrentLimitingProtection »HotPlug-InApplication(Soft | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
Marking：g02；Package：SOT753；2-input NOR gate 1.Generaldescription XC7SET02isahigh-speedSi-gateCMOSdevice.Itprovidesa2-inputNORfunction. 2.Featuresandbenefits •Symmetricaloutputimpedance •Highnoiseimmunity •Lowpowerdissipation •Balancedpropagationdelays •TTLinputlevels •ESDprotection: •HBMJESD22-A1 | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：G020N03；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG020N03D5usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体 | GOFORD | ||
Marking：G020N03；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG020N03Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体 | GOFORD | ||
Marking：G020N03；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG020N03Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体 | GOFORD | ||
Marking：G02P06；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG02P06usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体 | GOFORD | ||
Marking：G02P06；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG02P06Ausesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications.AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体 | GOFORD | ||
Marking：G022N03；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司 | HUAYI | ||
Marking：G022N03；Package：TO-251-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司 | HUAYI | ||
Marking：G022N03；Package：TO-251-3S；N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司 | HUAYI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
- 性质：
射频/高频放大 （HF）_静噪放大 （LN）_宽频带放大
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
- 最大电流允许值：
0.15A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
0.4W
- 放大倍数：
- 图片代号：
A-11
- vtest：
0
- htest：
999900
- atest：
0.15
- wtest：
0.4
详细参数
- 型号：
G02
- 制造商：
POWERBOX
- 制造商全称：
Powerbox
- 功能描述：
5WATTS SINGLE OUTPUT DC/DC INDUSTRIAL
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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24+ |
SMT86 |
311 |
现货供应 |
询价 | |||
XP Power |
24+ |
N/A |
12000 |
一级代理保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
23+ |
TSSOP8 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
GCITECHNOLOG |
05+ |
原厂原装 |
4816 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
G |
24+ |
SOP8 |
155 |
询价 | |||
BEL |
2016+ |
变压器 |
8850 |
只做原装,假一罚十,公司专营变压器,滤波器! |
询价 | ||
DIGITAL |
23+ |
6 |
8890 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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INFINEON |
2018+ |
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原厂封装 |
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专做原装正品,假一罚百! |
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BEL |
1736+ |
DIP |
15238 |
原厂优势渠道 |
询价 |
