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FQA12P20	文件：628.95 Kbytes Page：8 Pages	200V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：628.95 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA12P20	文件：317.72 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -12.6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.47Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：317.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQA12P20	文件：300 bytes Page：1 Pages	200V P-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQAF12P20	文件：615.01 Kbytes Page：8 Pages	200V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：615.01 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB12P20	文件：632.86 Kbytes Page：9 Pages	200V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：632.86 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB12P20	文件：1.01973 Mbytes Page：9 Pages	FQB12P20 / FQI12P20 200V P-Channel MOSFET 文件：1.01973 Mbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FQA12P20
功能描述：
MOSFET 200V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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