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FQA70N10	文件：637.49 Kbytes Page：8 Pages	100V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：637.49 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA70N10	文件：368.66 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 23mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv 文件：368.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQA70N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，70 A，23 mΩ，TO-3P 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 •70A, 100V, RDS(on)= 23mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 35A栅极电荷低（典型值：85nC)\n•低 Crss（典型值150pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•175°C最大结温额定值\"\n• 175°C Maximum Junction Temperature Rating;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQAF70N10	文件：624.78 Kbytes Page：8 Pages	100V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：624.78 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQAF70N10	文件：328.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.023Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：328.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQB70N10	文件：645.4 Kbytes Page：9 Pages	100V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：645.4 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±25
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
70
PD Max (W)：
214
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
23
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
85
Ciss Typ (pF)：
2500
Package Type：
TO-3P-3L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FQA70N10	FAIRCHILD/仙童	25+	TO-3P	45000	FAIRCHILD/仙童全新现货FQA70N10即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	FQA70N10	ON/安森美	24+	TO-3P-3L	3580	原装现货/15年行业经验欢迎询价	询价
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更多FQA70N10供应商更新时间2025-12-9 18:59:00

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