FQA70N10中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，70 A，23 mΩ，TO-3P数据手册ONSEMI规格书
FQA70N10规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•70A, 100V, RDS(on)= 23mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 35A栅极电荷低（典型值：85nC)
•低 Crss（典型值150pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
• 175°C Maximum Junction Temperature Rating
应用 Application
• 不间断电源
• 其他工业
• Switched Mode Power Supplies
• Audio Amplifiers
• DC Motor Control
• Variable Switching Power Applications
技术参数
- 制造商编号
：FQA70N10
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：70
- PD Max (W)
：214
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：23
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：85
- Ciss Typ (pF)
：2500
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO-3PN |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ON |
21+ |
TO-3P |
9514 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
TO-3PN-3 |
17048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2021 |
TO-3P |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-3PN-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ONSEMI |
2021 |
NA |
3600 |
全新原装!优势库存热卖中! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-3PN-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
TO-3P |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 |
