FQA6N90C-F109中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，6 A，2.3 Ω，TO-3P数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

特性 Features

•6A, 900V, RDS(on)= 2.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3A栅极电荷低（典型值：30nC)
•低 Crss（典型值11pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant

应用 Application

• 不间断电源
• 其他工业
• Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor Correction (PFC)
• Electronic Lamp Ballasts