功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，6 A，2.3 Ω，TO-3P

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •6A, 900V, RDS(on)= 2.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3A栅极电荷低（典型值：30nC)\n•低 Crss（典型值11pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半导体

FSC/仙童
TO-3P

FSC/仙童

上传：深圳市勤思达科技有限公司

仙童
TO-3P

仙童

上传：深圳市勤思达科技有限公司

FAIRCHILD
TO3P

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

上传：深圳市金柏信电子有限公司

仙童
TO-3P

仙童

上传：深圳市勤思达科技有限公司