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FQA90N15	文件：749.16 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features •90A,150V,RDS(on)=0.018Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical220nC) •LowCrss(typical200pF) •Fastswitching •1	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA90N15	文件：678.55 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features •90A,150V,RDS(on)=0.018Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical220nC) •LowCrss(typical200pF) •Fastswitching •1	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA90N15	文件：1.0998 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA90N15-F109	文件：1.32891 Mbytes Page：8 Pages	Marking：FQA90N15；Package：TO-3PN；N-Channel QFET® MOSFET 150 V, 90 A, 18 mΩ Description TheseN-Channelenhancementmodepowerfield effecttransistorsareproducedusingONSemiconductor’s proprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitching performance,andwi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FQA90N15_F109	文件：1.0998 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQH90N15	文件：329.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.018Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQH90N15	文件：1.0998 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQH90N15	文件：678.55 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features •90A,150V,RDS(on)=0.018Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical220nC) •LowCrss(typical200pF) •Fastswitching •1	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IXTA90N15T	文件：198.68 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformationTrenchGatePowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA90N15T	文件：299.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
FQA90N15
功能描述：
MOSFET 150V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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