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FQA7N80C	文件：610.86 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：610.86 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA7N80C	文件：791.72 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：791.72 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA7N80C	文件：798.36 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：798.36 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA7N80C_06	文件：791.72 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：791.72 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA7N80C_07	文件：798.36 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：798.36 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA7N80C_F109	文件：798.36 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：798.36 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA7N80C_F109	文件：791.72 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：791.72 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA7N80C	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQA7N80C_F109	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 7 A, 1.9 Ω, TO-3P 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •7A, 800V, RDS(on)= 1.9Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3.5A栅极电荷低（典型值：27nC)\n•低 Crss（典型值10pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQA7N80C-F109	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道 QFET® MOSFET 800V, 7.0A, 1.9Ω 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •7A, 800V, RDS(on)= 1.9Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3.5A栅极电荷低（典型值：27nC)\n•低 Crss（典型值10pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
N-Channel QFET® MOSFET 800V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
V(BR)DSS Min (V)：
800
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
7
PD Max (W)：
198
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1900
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
27
Ciss Typ (pF)：
1290
Package Type：
TO-3P-3LD / EIAJ SC-65

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深圳市河锋鑫科技有限公司	FQA7N80C	FAIRCHILD/仙童	17+	TO-3PN	31518	原装正品可含税交易	询价
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更多FQA7N80C供应商更新时间2025-10-5 10:01:00

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