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FQA7N80	文件：780.44 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig 文件：780.44 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA7N80	文件：369.71 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=7.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.9Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：369.71 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQA7N80	文件：773.54 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：773.54 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA7N80	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQA7N80C	文件：610.86 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：610.86 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA7N80_06	文件：773.54 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：773.54 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA7N80_F109	文件：773.54 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：773.54 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA7N80C	文件：791.72 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：791.72 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA7N80C	文件：798.36 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：798.36 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA7N80C_06	文件：791.72 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：791.72 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
N-Channel QFET® MOSFET 800V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
V(BR)DSS Min (V)：
800
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
7
PD Max (W)：
198
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1900
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
27
Ciss Typ (pF)：
1290
Package Type：
TO-3P-3LD / EIAJ SC-65

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQA7N80	onsemi(安森美)	24+	TO-3P	7814	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多FQA7N80供应商更新时间2025-11-30 16:12:00

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