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FQA13N80	文件：731.59 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high a 文件：731.59 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA13N80	文件：363.26 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=12.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.75Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：363.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQA13N80	文件：833.88 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：833.88 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA13N80	文件：830.55 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：830.55 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA13N80	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQA13N80-F109	文件：1.15105 Mbytes Page：8 Pages	12.6 A, 800 V, RDS(on) = 750 m廓 (Max.) @ VGS = 10 VID = 6.8 A Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high a 文件：1.15105 Mbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA13N80_06	文件：830.55 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：830.55 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA13N80_07	文件：833.88 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：833.88 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA13N80_F109	文件：830.55 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：830.55 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA13N80_F109	文件：833.88 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：833.88 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
N-Channel QFET® MOSFET 800V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
V(BR)DSS Min (V)：
800
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
12.6
PD Max (W)：
300
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
750
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
68
Ciss Typ (pF)：
2700
Package Type：
TO-3P-3LD / EIAJ SC-65

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更多FQA13N80供应商更新时间2026-4-15 20:36:00

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