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FQA40N25	文件：786.39 Kbytes Page：8 Pages	250V N-Channel MOSFET 文件：786.39 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQA40N25	文件：303.17 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：303.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQA40N25	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，40 A，70 mΩ，TO-3P 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •40A, 250V, RDS(on)= 70mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 20A栅极电荷低（典型值：85nC)\n•低 Crss（典型值70pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n• 100% Avalanche Tested;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQAF40N25	文件：779.93 Kbytes Page：8 Pages	250V N-Channel MOSFET 250V N-Channel MOSFET 文件：779.93 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQAF40N25	文件：421.67 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=24A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.07Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：421.67 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
JCS40N25ANT-O-AN-N-B	文件：1.12212 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL MOSFET 文件：1.12212 Mbytes 页数：9 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
250
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
40
PD Max (W)：
280
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
70
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
85
Ciss Typ (pF)：
3100
Package Type：
TO-3P-3L

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中天科工半导体（深圳）有限公司	FQA40N25	FAIRCHILD/仙童	25+	TO-3P	45000	FAIRCHILD/仙童全新现货FQA40N25即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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更多FQA40N25供应商更新时间2025-10-13 17:23:00

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